Борис Ильич Бедный

российский физик

Категория:

Дата рождения:

1951-03-24

Биография

Окончил Горьковский государственный университет в 1972-ом году, кандидат физико-математических наук (1977), доктор физико-математических наук (1997). Тема докторской диссертации: «Электронное состояние поверхности GaAs и InP: диагностика, управление, пассивация». Профессор кафедры электроники твердого тела (1998) ННГУ.

Карьера

Заместитель директора Нижегородского центра инкубации наукоемких технологий (1994—1998); заместитель декана по научной работе факультета управления и предпринимательства ННГУ. Член совета Верхне-Волжского отделения Академии Технологических Наук Российской Федерации, член совета и дирекции Регионального учебно-научного центра подготовки кадров наукоемкого предпринимательства.

С 2001 года назначен на должность руководителя аспирантуры и докторантуры ННГУ, с 2003 года — директор Института аспирантуры и докторантуры ННГУ, заведующий кафедрой трансфера технологий и предпринимательства в научно-технической сфере.

Научная деятельность

Сферы научных интересов — электронные процессы на поверхности и границах раздела полупроводников; наукометрия; социология науки и образования.

Научные труды

Опубликовал более 180 работ, в том числе:

Модель диагностики научного потенциала и результативности аспирантуры // Высшее образование в России. 2008.-№5.-С.121-131 (в соавторстве с А.А. Мироносом)
Факторы эффективности и качества подготовки научных кадров (социологический анализ) // Университетское управление: практика и анализ. 2007. - №5. (в соавторстве с А.А. Мироносом, С.С. Балабановым)
Перспективные научные направления и технологии XXI века // Н.Новгород, ННГУ, 1999.
Интерактивная программа для компьютерного моделирования углеводного обмена при инсулинозависимом сахарном диабете // Вестник РАЕН. 2000.- Вып. 3.- С. 75-79 (в соавторстве с В.Н.Агаревым, И.С.Емельяновой).
Российская наука в зеркале публикаций // Мир библиографии. 2002. - №4. - С. 36-41.
Зависимость приповерхностного изгиба зон от объемной концентрации носителей заряда // Поверхность. 1993. - № 10. - С . 58 - 64.
О трансформации потенциального барьера на границе GaAs/Au // Физика и техника полупроводников. 1999.- Т. 33. - №11. - С. 1350-1354.
Продуктивность исследовательской работы аспирантов (наукометрические оценки) // Высшее образование в России. 2006. - №7. – С. 20- 36. (в соавторстве с А.А. Мироносом, Т.В. Серовой).
Диагностика потенциала подготовки научных кадров вуза // Высшее образование в России. 2003. - №4. - С. 3-14 (в соавторстве с А.Ф. Хохловым, Г.А. Максимовым).
О подготовке специалистов высшей квалификации в области точных и естественных наук (экспертные оценки деятельности аспирантуры) // Alma mater (Вестник высшей школы). 2007.-№8. - С. 23-42. (в соавторстве с А.А. Мироносом, Т.В. Серовой)
Зависимость стационарной фотопроводимости от фотопотенциала поверхности в GaAs // Физика и техника полупроводников. 1983. - Т. 17. - №7. - С. 1302 –1304 (в соавторстве с А.Н. Калининым и И.А. Карповичем).
Sulfide passivation of the GaAs surface: unpinning of the Fermi level // Semiconductors, 1995, V. 29, № 8, P . 776-784.
Физические процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах при фотовозбуждении, Горький, изд-во ГГУ, 1988.